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MOSFETs

314 Artikel in 339 Varianten
*inkl. MwSt. zzgl. Versandkosten
Artikelbeschreibung
Gesamt
Preisstaffel
Ausführung
max. Spannung
max. Strom
Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=4,5V
Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V
Gehäuse
Verlustleistung VA (AC)
Verlustleistung W (DC)
Montage
min. Temperatur
max. Temperatur
BSS123-7-F Diodes MOSFETs
Diodes N-Kanal MOSFET, 100 V, 170 mA, TO-236, BSS123-7-F
Bestellnr.:
 17S8692
Hersteller:
 Diodes
Hersteller-Nr.:
 BSS123-7-F
Lagerbestand: 0 Stk. Ab Hersteller: Auf Anfrage **
Gesamtpreis: 199,92 € *
3000 Stk.
0,0666 €
N-Kanal
100 V
170 mA
6 Ω
TO-236
300 mW
SMD
-55 °C
150 °C
IRFD110PBF Vishay MOSFETs
Vishay N-Kanal Power MOSFET, 100 V, 1 A, DIP-4, IRFD110PBF
Bestellnr.:
 24S3287
Hersteller:
 Vishay
Hersteller-Nr.:
 IRFD110PBF
Lagerbestand: 0 Stk. Ab Hersteller: Auf Anfrage **
Gesamtpreis: 61,88 € *
100 Stk.
0,6188 €
N-Kanal
100 V
1 A
540 mΩ
DIP-4
1.3 W
THT
-55 °C
175 °C
IRFP240PBF Vishay MOSFETs
Vishay N-Kanal Power MOSFET, 200 V, 20 A, TO-247, IRFP240PBF
Bestellnr.:
 24S3300
Hersteller:
 Vishay
Hersteller-Nr.:
 IRFP240PBF
Lagerbestand: 0 Stk. Ab Hersteller: 14 Wochen **
Gesamtpreis: 57,12 € *
25 Stk.
2,2848 €
N-Kanal
200 V
20 A
180 mΩ
TO-247
THT
-55 °C
150 °C
SPW17N80C3 Infineon Technologies MOSFETs
Infineon Technologies N-Kanal CoolMOS Power Transistor, 800 V, 17 A, TO-247, SPW17N80C3
Bestellnr.:
 24S6264
Hersteller:
 Infineon Technologies
Hersteller-Nr.:
 SPW17N80C3
Lagerbestand: 0 Stk. Ab Hersteller: Auf Anfrage **
Gesamtpreis: 7,91 € *
1 Stk.
7,9135 €
30 Stk.
6,9615 €
120 Stk.
6,5688 €
270 Stk.
6,3427 €
1020 Stk.
5,9857 €
N-Kanal
800 V
17 A
290 mΩ
TO-247
227 W
THT
-55 °C
150 °C
SIS488DN-T1-GE3 Vishay MOSFETs
Vishay N-Kanal TrenchFET Power MOSFET, 40 V, 40 A, PowerPAK 1212-8, SIS488DN-T1-GE3
Bestellnr.:
 24S8238
Hersteller:
 Vishay
Hersteller-Nr.:
 SIS488DN-T1-GE3
Lagerbestand: 0 Stk. Ab Hersteller: Auf Anfrage **
Gesamtpreis: 1,33 € *
1 Stk.
1,3328 €
10 Stk.
1,2376 €
50 Stk.
1,0948 €
250 Stk.
0,9401 €
1000 Stk.
0,8211 €
2500 Stk.
0,7616 €
N-Kanal
40 V
40 A
5.5 mΩ
PowerPAK 1212-8
SMD
-55 °C
150 °C
PMBF170,215 NEXPERIA MOSFETs
NEXPERIA N-Kanal FET, 60 V, 300 mA, SOT-23, PMBF170,215
Bestellnr.:
 26S202
Hersteller:
 NEXPERIA
Hersteller-Nr.:
 PMBF170,215
Lagerbestand: 0 Stk. Ab Hersteller: Auf Anfrage **
Gesamtpreis: 282,03 € *
3000 Stk.
0,0940 €
N-Kanal
60 V
300 mA
5 Ω
SOT-23
830 mW
SMD
-65 °C
150 °C
ZVN0545A Diodes MOSFETs
Diodes N-Kanal Vertical DMOS FET, 40 V, 90 mA, TO-92, ZVN0545A
Bestellnr.:
 26S2912
Hersteller:
 Diodes
Hersteller-Nr.:
 ZVN0545A
Lagerbestand: 0 Stk. Ab Hersteller: Auf Anfrage **
Gesamtpreis: 3.617,60 € *
4000 Stk.
0,9044 €
N-Kanal
40 V
90 mA
50 Ω
TO-92
700 mW
THT
-55 °C
150 °C
ZXMP6A13F Diodes MOSFETs
Diodes P-Kanal MOSFET, -60 V, -900 mA, TO-236, ZXMP6A13F
Bestellnr.:
 26S5094
Hersteller:
 Diodes
Hersteller-Nr.:
 ZXMP6A13F
Lagerbestand: 0 Stk. Ab Hersteller: 3 Wochen **
Gesamtpreis: 642,60 € *
3000 Stk.
0,2142 €
P-Kanal
-60 V
-900 mA
0.4 Ω
300 mΩ
TO-236
625 mW
SMD
-55 °C
150 °C
IRF1018EPBF Infineon Technologies MOSFETs
Infineon Technologies N-Kanal HEXFET Power MOSFET, TO-220AB, IRF1018EPBF
Bestellnr.:
 31S2058
Hersteller:
 Infineon Technologies
Hersteller-Nr.:
 IRF1018EPBF
Lagerbestand: 0 Stk. Verfügbar in 5 Tagen: 1.230 Stk. Ab Hersteller: 8 Wochen **
Gesamtpreis: 5,71 € *
10 Stk.
0,5712 €
N-Kanal
8.4 mΩ
TO-220AB
THT
-55 °C
175 °C
1 ...
4
5
6
... 17
*inkl. MwSt. zzgl. Versandkosten
**Zwischenverkauf vorbehalten
Abbildungen können abweichen

Hochwertige MOSFETs

MOSFETs (kurz für: Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors) sind Leistungshalbleiter, die zur Steuerung von elektrischen Strömen in Schaltungen verwendet werden. Sie arbeiten als Schalter oder Verstärker, indem sie den Stromfluss zwischen Drain und Source durch eine Spannung am Gate steuern. Aufgrund ihrer hohen Schaltgeschwindigkeit und des geringen Widerstands im eingeschalteten Zustand werden MOSFETs häufig in Schaltnetzteilen, Motorsteuerungen, LED-Treibern und Automobilanwendungen eingesetzt. Ein weiterer Vorteil ist ihr niedriger Energieverbrauch.

MOSFETs in vielen Ausführungen bei Bürklin

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