BIDD05N60T | Bourns Electronics GmbH
IGBT, 600 V, 5 A, DPAK, Bourns Electronics GmbH BIDD05N60T
Bestellnr.: 26S9092
EAN: 4099891587628
HTN:
BIDD05N60T
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Bipolartransistor mit isoliertem Gate (IGBT), BIDD05N60T, Bourns
Der IGBT-Baustein BIDD05N60T kombiniert die Technologie eines MOS-Gate- und eines Bipolartransistors zu einer optimalen Komponente für Hochspannungs- und Hochstromanwendungen. Dieser Baustein verwendet die Trench-Gate-Field-Stop-Technologie, die eine bessere Kontrolle der dynamischen Eigenschaften mit einer niedrigeren Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung (VCE(sat)) und geringeren Schaltverlusten ermöglicht. Darüber hinaus verbessert diese Struktur die Robustheit des Bauelements.
Features
- Niedrige Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung (VCE(sat)
- Trench-Gate-Feld-Stopp-Technik
- Optimiert für Konduktion
- RoHS-konform
Anwendungen
- Schaltnetzteile (SMPS)
- Unterbrechungsfreie Stromquellen (UPS)
- Leistungsfaktor-Korrektur (PFC)
Technische Daten
| Ausführung | Einfach | |
| Gehäuse | DPAK | |
| max. Spannung | 600 V | |
| max. Strom | 5 A | |
| max. Temperatur | 150 °C | |
| min. Temperatur | -55 °C | |
| Montage | SMD | |
| Sättigungsspannung | 2 V | |
| Schaltverlust b. Ausschalten Eoff typ. | 0.07 J | |
| Schaltverlust b. Einschalten Eon typ. | 0.2 J | |
| Verlustleistung VA (AC) | 82 W |
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Logistik
| Ursprungsland | CN |
| Zolltarifnummer | 85412900 |
| Originalverpackung | Rolle mit 2.500 Stück |
Compliance
| RoHS konform | Ja |
| Stand der RoHS-Richtlinie | 31.03.15 |
| SVHC frei | Ja |