BIDNW30N60H3 | Bourns Electronics GmbH
IGBT, 600 V, 30 A, TO-247, Bourns Electronics GmbH BIDNW30N60H3
Bestellnr.: 26S9095
EAN: 4099891587659
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BIDNW30N60H3
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Bipolartransistor mit isoliertem Gate (IGBT), BIDNW30N60H3, Bourns
Der IGBT-Baustein BIDW30N60T kombiniert die Technologie eines MOS-Gate- und eines Bipolartransistors zu einer optimalen Komponente für Hochspannungs- und Hochstromanwendungen. Dieser Baustein verwendet die Trench-Gate-Field-Stop-Technologie, die eine bessere Kontrolle der dynamischen Eigenschaften mit einer niedrigeren Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung (VCE(sat)) und geringeren Schaltverlusten ermöglicht.
Features
- Niedrige Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung (VCE(sat)
- Trench-Gate-Feld-Stopp-Technik
- Geringer Schaltverlust
- RoHS-konform
Anwendungen
- Schaltnetzteile (SMPS)
- Unterbrechungsfreie Stromquellen (UPS)
- Leistungsfaktor-Korrektur (PFC)
Technische Daten
| Ausführung | Einfach | |
| Gehäuse | TO-247 | |
| max. Spannung | 600 V | |
| max. Strom | 30 A | |
| max. Temperatur | 150 °C | |
| min. Temperatur | -55 °C | |
| Montage | THT | |
| Sättigungsspannung | 2 V | |
| Schaltverlust b. Ausschalten Eoff typ. | 0.45 J | |
| Schaltverlust b. Einschalten Eon typ. | 1.85 J | |
| Verlustleistung VA (AC) | 230 W |
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Logistik
| Ursprungsland | CN |
| Zolltarifnummer | 85412900 |
| Originalverpackung | Stange mit 30 Stück |
Compliance
| RoHS konform | Ja |
| Stand der RoHS-Richtlinie | 31.03.15 |
| SVHC frei | Ja |
