BIDW20N60T | Bourns Electronics GmbH

IGBT, 600 V, 20 A, TO-247, Bourns Electronics GmbH BIDW20N60T

Bestellnr.: 26S9093
EAN: 4099891587635
HTN:
BIDW20N60T
Bourns Electronics GmbH
BIDW20N60T Bourns Electronics GmbH IGBTs
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Bipolartransistor mit isoliertem Gate (IGBT), BIDW20N60T, Bourns

Der IGBT-Baustein BIDW20N60T kombiniert die Technologie eines MOS-Gate- und eines bipolaren Transistors zu einem optimalen Bauteil für Hochspannungs- und Hochstromanwendungen. Dieser Baustein verwendet die Trench-Gate-Field-Stop-Technologie, die eine bessere Kontrolle der dynamischen Eigenschaften mit einem geringeren Leitungsverlust und weniger Schaltverlusten ermöglicht. Darüber hinaus bietet diese Struktur einen positiven Temperaturkoeffizienten.

Features

  • Niedrige Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung (VCE(sat)
  • Trench-Gate-Feld-Stopp-Technik
  • Optimiert für Konduktion
  • RoHS-konform

Anwendungen

  • Schaltnetzteile (SMPS)
  • Unterbrechungsfreie Stromquellen (UPS)
  • Leistungsfaktor-Korrektur (PFC)
Technische Daten
Ausführung Einfach
Gehäuse TO-247
max. Spannung 600 V
max. Strom 20 A
max. Temperatur 150 °C
min. Temperatur -55 °C
Montage THT
Sättigungsspannung 2.4 V
Schaltverlust b. Ausschalten Eoff typ. 0.3 J
Schaltverlust b. Einschalten Eon typ. 1 J
Verlustleistung VA (AC) 192 W
Logistik
Ursprungsland CN
Zolltarifnummer 85412900
Originalverpackung Stange mit 30 Stück
Compliance
RoHS konform Ja
Stand der RoHS-Richtlinie 31.03.15
SVHC frei Ja