BIDW50N65T | Bourns Electronics GmbH
IGBT, 650 V, 50 A, TO-247, Bourns Electronics GmbH BIDW50N65T
Bestellnr.: 26S9096
EAN: 4099891587666
HTN:
BIDW50N65T
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Bipolartransistor mit isoliertem Gate (IGBT), BIDW50N65T, Bourns
Der IGBT-Baustein BIDW30N60T kombiniert die Technologie eines MOS-Gate- und eines Bipolartransistors zu einer optimalen Komponente für Hochspannungs- und Hochstromanwendungen. Dieser Baustein verwendet die Trench-Gate-Field-Stop-Technologie, die eine bessere Kontrolle der dynamischen Eigenschaften mit einer niedrigeren Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung (VCE(sat)) und geringeren Schaltverlusten ermöglicht. Darüber hinaus bietet diese Struktur einen geringeren Wärmewiderstand R(th).
Features
- Niedrige Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung (VCE(sat)
- Trench-Gate-Feld-Stopp-Technik
- Geringer Schaltverlust
- RoHS-konform
Anwendungen
- Schaltnetzteile (SMPS)
- Unterbrechungsfreie Stromquellen (UPS)
- Leistungsfaktor-Korrektur (PFC)
Technische Daten
| Ausführung | Einfach | |
| Gehäuse | TO-247 | |
| max. Spannung | 650 V | |
| max. Strom | 50 A | |
| max. Temperatur | 150 °C | |
| min. Temperatur | -55 °C | |
| Montage | THT | |
| Sättigungsspannung | 2.2 V | |
| Schaltverlust b. Ausschalten Eoff typ. | 1.1 J | |
| Schaltverlust b. Einschalten Eon typ. | 3 J | |
| Verlustleistung VA (AC) | 416 W |
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Logistik
| Ursprungsland | CN |
| Zolltarifnummer | 85412900 |
| Originalverpackung | Stange mit 30 Stück |
Compliance
| RoHS konform | Ja |
| Stand der RoHS-Richtlinie | 31.03.15 |
| SVHC frei | Ja |