PTVS1-066C-H | Bourns Electronics GmbH
SMD TVS Diode, Bidirektional, 86 V, DFN, Bourns Electronics GmbH PTVS1-066C-H
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Hochstrom-TVS-Diode, PTVS1-066C-H, Bourns Electronics GmbH
Die Hochstrom-TVS-Diode wurde zum Schutz von DC- oder PoE-gespeisten Systemen wie Small Cells oder Überwachungskameras entwickelt, die hohen Überspannungen wie induzierten Blitzen oder induktiven Stromschaltungen ausgesetzt sein können.
Features
- Bidirektionales TVS
- Niedrige Klemmspannung bei Überspannung
- Hervorragende Leistung bei verschiedenen Temperaturen
Anwendungen
- Schutz vor Blitzeinschlägen, induktiven und transienten Überspannungen bis zu den Nennwerten
- Freiliegende PoE-Anschlüsse
- Kleinzelle, Remote Radio Units (RRUs) und Baseband Units (BBUs)
- Schutz des DC-Busses mit hoher Leistung
Technische Daten
Anzahl der Dioden | 1 | |
Ausführung | Bidirektional | |
Durchbruchspannung | 80 V | |
Gehäuse | DFN | |
Kapazität | 0.7 nF | |
max. Temperatur | 125 °C | |
min. Temperatur | -55 °C | |
Montage | SMD | |
Sperrspannung | 86 V |
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Logistik
Ursprungsland | PH |
Zolltarifnummer | 85411000 |
MSL | MSL 1 |
Compliance
RoHS konform | Ja |
Stand der RoHS-Richtlinie | 31.03.15 |
SVHC frei | Nein |
Substanz Beschreibung | Blei |