2N5416 | CDIL
Bipolartransistor, PNP, 1 A, 300 V, THT, TO-39, 2N5416
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PNP-Transistor, 2N5416, CDIL
Dieser PNP-Silizium-Hochspannungstransistor wird für Hochgeschwindigkeitsschaltungen und lineare Verstärkeranwendungen in militärischen, industriellen und kommerziellen Geräten verwendet.
Technische Daten
Ausführung | PNP | |
Gehäuse | TO-39 | |
max. Temperatur | 200 °C | |
max.Spannung zwischen Kollektor und Basis Vcbo | 350 V | |
max.Spannung zwischen Kollektor und Emitter Vceo | 300 V | |
min. Temperatur | -65 °C | |
Montage | THT | |
Nennstrom | 1 A | |
Sättigungsspannung | 2 V | |
Transitfrequenz fTmin | 15 MHz | |
Verlustleistung VA (AC) | 1 W | |
Kollektorstrom | 1 A | |
Max Gleichstromverstärkung | 120 mA | |
Min Gleichstromverstärkung | 30 mA |
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Logistik
Ursprungsland | CN |
Zolltarifnummer | 85412900 |
Originalverpackung | Bulk mit 500 Stück |
Compliance
RoHS konform | Ja |
Stand der RoHS-Richtlinie | 31.03.15 |
SVHC frei | Ja |