BC559C | CDIL
Bipolartransistor, PNP, 100 mA, 30 V, THT, TO-92, BC559C
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PNP-Transistor, BC559C, CDIL
Der PNP-Silizium-Epitaxie-Planartransistor BC559C ist für Schalt- und NF-Verstärkeranwendungen geeignet.
Technische Daten
Ausführung | PNP | |
Gehäuse | TO-92 | |
max. Temperatur | 150 °C | |
max.Spannung zwischen Kollektor und Basis Vcbo | 30 V | |
max.Spannung zwischen Kollektor und Emitter Vceo | 30 V | |
min. Temperatur | -65 °C | |
Montage | THT | |
Nennstrom | 100 mA | |
Sättigungsspannung | 650 mV | |
Transitfrequenz fTmin | 100 MHz | |
Verlustleistung VA (AC) | 0.5 W | |
Kollektorstrom | 100 mA | |
Max Gleichstromverstärkung | 800 mA | |
Min Gleichstromverstärkung | 420 mA |
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Logistik
Ursprungsland | IN |
Zolltarifnummer | 85412900 |
Compliance
RoHS konform | Ja |
Stand der RoHS-Richtlinie | 31.03.15 |
SVHC frei | Ja |