BC637 | CDIL

Bipolartransistor, NPN, 1 A, 60 V, THT, TO-92, BC637

Bestellnr.: 12S6050
EAN: 4099879027078
HTN:
BC637
CDIL
BC637 CDIL Bipolar Transistoren
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NPN-Transistor, BC637, CDIL

Der NPN-Silizium-Planar-Epitaxie-Transistor BC637 ist für den Einsatz als Hochstromtransistor konzipiert.

Technische Daten
Ausführung NPN
Gehäuse TO-92
max. Temperatur 150 °C
max.Spannung zwischen Kollektor und Basis Vcbo 60 V
max.Spannung zwischen Kollektor und Emitter Vceo 60 V
min. Temperatur -55 °C
Montage THT
Nennstrom 1 A
Sättigungsspannung 500 mV
Transitfrequenz fTmin 200 MHz
Verlustleistung VA (AC) 0.8 W
Kollektorstrom 1 A
Max Gleichstromverstärkung 250 mA
Min Gleichstromverstärkung 40 mA
Logistik
Ursprungsland IN
Zolltarifnummer 85412900
Compliance
RoHS konform Ja
Stand der RoHS-Richtlinie 31.03.15
SVHC frei Ja