BD139 | CDIL
Bipolartransistor, NPN, 1.5 A, 80 V, THT, TO-126, BD139
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NPN-Transistor, BD139, CDIL
Der BD139 NPN-Epitaxie-Silizium-Leistungstransistor ist für den Einsatz als Audioverstärker und -treiber konzipiert.
Technische Daten
Ausführung | NPN | |
Gehäuse | TO-126 | |
max. Temperatur | 150 °C | |
max.Spannung zwischen Kollektor und Basis Vcbo | 100 V | |
max.Spannung zwischen Kollektor und Emitter Vceo | 80 V | |
min. Temperatur | -55 °C | |
Montage | THT | |
Nennstrom | 15 A | |
Sättigungsspannung | 500 mV | |
Transitfrequenz fTmin | 50 MHz | |
Verlustleistung VA (AC) | 1.25 W | |
Kollektorstrom | 1.5 A | |
Max Gleichstromverstärkung | 250 mA | |
Min Gleichstromverstärkung | 40 mA |
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Logistik
Ursprungsland | IN |
Zolltarifnummer | 85412900 |
Compliance
RoHS konform | Ja |
Stand der RoHS-Richtlinie | 31.03.15 |
SVHC frei | Ja |