MJE350 | CDIL

Bipolartransistor, PNP, 500 mA, 300 V, THT, TO-126, MJE350

Bestellnr.: 24S4100
EAN: 4099879029560
HTN:
MJE350
Herstellerserien: MJE
CDIL
MJE350 CDIL Bipolar Transistoren
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Leistungstransistor, MJE350, CDIL

Dieser Leistungstransistor aus epitaktischem Silizium eignet sich für den Einsatz in allgemeinen Hochspannungsanwendungen.

Technische Daten
Ausführung PNP
Gehäuse TO-126
max. Temperatur 150 °C
max.Spannung zwischen Kollektor und Basis Vcbo 300 V
max.Spannung zwischen Kollektor und Emitter Vceo 300 V
min. Temperatur -65 °C
Montage THT
Nennstrom 500 mA
Transitfrequenz fTmin 4 MHz
Verlustleistung VA (AC) 1.25 W
Kollektorstrom 500 mA
Max Gleichstromverstärkung 240 mA
Min Gleichstromverstärkung 30 mA
Logistik
Ursprungsland IN
Zolltarifnummer 85412900
Originalverpackung Bulk mit 500 Stück
Compliance
RoHS konform Ja
Stand der RoHS-Richtlinie 31.03.15
SVHC frei Ja