MJE350 | CDIL
Bipolartransistor, PNP, 500 mA, 300 V, THT, TO-126, MJE350
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Leistungstransistor, MJE350, CDIL
Dieser Leistungstransistor aus epitaktischem Silizium eignet sich für den Einsatz in allgemeinen Hochspannungsanwendungen.
Technische Daten
Ausführung | PNP | |
Gehäuse | TO-126 | |
max. Temperatur | 150 °C | |
max.Spannung zwischen Kollektor und Basis Vcbo | 300 V | |
max.Spannung zwischen Kollektor und Emitter Vceo | 300 V | |
min. Temperatur | -65 °C | |
Montage | THT | |
Nennstrom | 500 mA | |
Transitfrequenz fTmin | 4 MHz | |
Verlustleistung VA (AC) | 1.25 W | |
Kollektorstrom | 500 mA | |
Max Gleichstromverstärkung | 240 mA | |
Min Gleichstromverstärkung | 30 mA |
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Logistik
Ursprungsland | IN |
Zolltarifnummer | 85412900 |
Originalverpackung | Bulk mit 500 Stück |
Compliance
RoHS konform | Ja |
Stand der RoHS-Richtlinie | 31.03.15 |
SVHC frei | Ja |