2N2222-T | COMSET Semiconductors
Bipolartransistor, NPN, 800 mA, 30 V, THT, TO-18, 2N2222-T
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NPN-Schalttransistor, 2N2222-T, COMSET
Der NPN-Transistor 2N2222-T ist in einem TO-18-Metallgehäuse untergebracht. Er wurde für Hochgeschwindigkeits-Schaltanwendungen entwickelt und zeichnet sich durch eine nützliche Stromverstärkung über einen breiten Kollektorstrombereich, geringe Leckströme und niedrige Sättigungsspannungen aus.
Features
- Einhaltung der RoHS-Richtlinien
Technische Daten
| Ausführung | NPN | |
| Gehäuse | TO-18 | |
| max. Temperatur | 200 °C | |
| max.Spannung zwischen Kollektor und Basis Vcbo | 60 V | |
| max.Spannung zwischen Kollektor und Emitter Vceo | 30 V | |
| min. Temperatur | -65 °C | |
| Montage | THT | |
| Nennstrom | 800 mA | |
| Sättigungsspannung | 300 mV | |
| Transitfrequenz fTmin | 250 MHz | |
| Verlustleistung VA (AC) | 0.5 W | |
| Kollektorstrom | 800 mA | |
| Max Gleichstromverstärkung | 300 mA | |
| Min Gleichstromverstärkung | 100 mA |
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Logistik
| Ursprungsland | CN |
| Zolltarifnummer | 85412900 |
| Originalverpackung | Bulk mit 500 Stück |
Compliance
| RoHS konform | Ja |
| Stand der RoHS-Richtlinie | 08.06.11 |
| SVHC frei | Ja |
