2N2905A-T | COMSET Semiconductors
Bipolartransistor, PNP, -600 mA, -60 V, THT, TO-39, 2N2905A-T
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PNP-Transistor, 2N2905A-T, COMSET
Der PNP-Transistor 2N2905A-T ist in einem TO-39-Metallgehäuse untergebracht. Er ist für Hochgeschwindigkeitsschaltungen und Allzweckanwendungen vorgesehen.
Features
- Einhaltung der RoHS-Richtlinien
Technische Daten
| Ausführung | PNP | |
| Gehäuse | TO-39 | |
| max. Temperatur | 200 °C | |
| max.Spannung zwischen Kollektor und Basis Vcbo | -60 V | |
| max.Spannung zwischen Kollektor und Emitter Vceo | -60 V | |
| min. Temperatur | -65 °C | |
| Montage | THT | |
| Sättigungsspannung | -1.6 V | |
| Transitfrequenz fTmin | 200 MHz | |
| Verlustleistung VA (AC) | 0.6 W | |
| Kollektorstrom | -600 mA | |
| Max Gleichstromverstärkung | 300 mA | |
| Min Gleichstromverstärkung | 100 mA |
Download
Logistik
| Ursprungsland | CN |
| Zolltarifnummer | 85412900 |
| Originalverpackung | Bulk mit 500 Stück |
Compliance
| RoHS konform | Ja |
| Stand der RoHS-Richtlinie | 31.03.15 |
| SVHC frei | Ja |
