2N5416-T | COMSET Semiconductors
Bipolartransistor, PNP, -200 mA, -300 V, THT, TO-39, 2N5416-T
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PNP-Transistor, 2N5416-T, COMSET
Der 2N5416-T ist ein PNP-Transistor in einem TO-39-Metallgehäuse. Er ist für den Einsatz in Hochspannungsschalt- und Linearverstärkeranwendungen vorgesehen.
Features
- Einhaltung der RoHS-Richtlinien
Technische Daten
Ausführung | PNP | |
Gehäuse | TO-39 | |
max. Temperatur | 150 °C | |
max.Spannung zwischen Kollektor und Basis Vcbo | -350 V | |
max.Spannung zwischen Kollektor und Emitter Vceo | -300 V | |
min. Temperatur | -65 °C | |
Montage | THT | |
Sättigungsspannung | -2.5 V | |
Transitfrequenz fTmin | 15 MHz | |
Verlustleistung VA (AC) | 1 W | |
Kollektorstrom | -200 mA | |
Max Gleichstromverstärkung | 120 mA | |
Min Gleichstromverstärkung | 30 mA |
Download
Logistik
Ursprungsland | CN |
Zolltarifnummer | 85412900 |
Originalverpackung | Bulk mit 500 Stück |
Compliance
RoHS konform | Ja |
Stand der RoHS-Richtlinie | 31.03.15 |
SVHC frei | Ja |