BD651-T | COMSET Semiconductors
Bipolartransistor, NPN, 8 A, 120 V, THT, TO-220, BD651-T
Bestellnr.: 14S6150
EAN: 4099879028341
HTN:
BD651-T
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NPN-Leistungstransistor, BD651-T, COMSET
Der BD651-T ist ein NPN-Transistor mit Epitaxie-Basis in einer monolithischen Dalrington-Schaltung und einem TO-220-Gehäuse. Er ist für Ausgangsstufen in Audiogeräten, allgemeinen Verstärkern und analogen Schaltanwendungen vorgesehen.
Features
- Einhaltung der RoHS-Richtlinien
Technische Daten
Ausführung | NPN | |
Frequenz | 10 MHz | |
Gehäuse | TO-220 | |
max. Temperatur | 150 °C | |
max.Spannung zwischen Kollektor und Basis Vcbo | 140 V | |
max.Spannung zwischen Kollektor und Emitter Vceo | 120 V | |
min. Temperatur | -65 °C | |
Montage | THT | |
Nennstrom | 8 A | |
Sättigungsspannung | 2.5 V | |
Verlustleistung VA (AC) | 62.5 W | |
Kollektorstrom | 8 A |
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Logistik
Ursprungsland | IN |
Zolltarifnummer | 85412900 |
Originalverpackung | Stange mit 50 Stück |
Compliance
RoHS konform | Ja |
Stand der RoHS-Richtlinie | 31.03.15 |
SVHC frei | Ja |