BD651-T | COMSET Semiconductors

Bipolartransistor, NPN, 8 A, 120 V, THT, TO-220, BD651-T

Bestellnr.: 14S6150
EAN: 4099879028341
HTN:
BD651-T
COMSET Semiconductors
BD651-T COMSET Semiconductors Bipolar Transistoren
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NPN-Leistungstransistor, BD651-T, COMSET

Der BD651-T ist ein NPN-Transistor mit Epitaxie-Basis in einer monolithischen Dalrington-Schaltung und einem TO-220-Gehäuse. Er ist für Ausgangsstufen in Audiogeräten, allgemeinen Verstärkern und analogen Schaltanwendungen vorgesehen.

Features

  • Einhaltung der RoHS-Richtlinien
Technische Daten
Ausführung NPN
Frequenz 10 MHz
Gehäuse TO-220
max. Temperatur 150 °C
max.Spannung zwischen Kollektor und Basis Vcbo 140 V
max.Spannung zwischen Kollektor und Emitter Vceo 120 V
min. Temperatur -65 °C
Montage THT
Nennstrom 8 A
Sättigungsspannung 2.5 V
Verlustleistung VA (AC) 62.5 W
Kollektorstrom 8 A
Logistik
Ursprungsland IN
Zolltarifnummer 85412900
Originalverpackung Stange mit 50 Stück
Compliance
RoHS konform Ja
Stand der RoHS-Richtlinie 31.03.15
SVHC frei Ja