BDV65C | COMSET Semiconductors

Name: Bipolartransistor, NPN, 12 A, 120 V, THT, TO-3P, BDV65C
Brand: COMSET Semiconductors
SKU: 15S5010
Price: 4.52 EUR
Availability: InStock

Bipolartransistor, NPN, 12 A, 120 V, THT, TO-3P, BDV65C

Bestellnr.: 15S5010

EAN: 4099879028525

HTN:

BDV65C

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Wichtige Spezifikationen:

Montage THT

Gehäuse TO-3P

Ausführung NPN

Sättigungsspannung 2 V

Kollektorstrom 12 A

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Produktbeschreibung

NPN-Leistungstransistor, BDV65C, COMSET

Der BDV65C ist ein Silizium-Epitaxie-Basistransistor im TO-3PN-Gehäuse. Er ist für Audio-Ausgangsstufen und allgemeine Verstärker- und Schaltanwendungen konzipiert.

Features

Einhaltung der RoHS-Richtlinien

Technische Daten

	Ausführung	NPN
	Gehäuse	TO-3P
	max. Temperatur	150 °C
	max.Spannung zwischen Kollektor und Basis Vcbo	120 V
	max.Spannung zwischen Kollektor und Emitter Vceo	120 V
	min. Temperatur	-65 °C
	Montage	THT
	Nennstrom	12 A
	Sättigungsspannung	2 V
	Verlustleistung VA (AC)	125 W
	Kollektorstrom	12 A
	Min Gleichstromverstärkung	1000 mA