BDW83D | COMSET Semiconductors
Bipolartransistor, NPN, 15 A, 120 V, THT, TO-3PN, BDW83D
Bestellnr.: 15S5368
EAN: 4099879028563
HTN:
BDW83D
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NPN-Leistungstransistor, BDW83D, COMSET
Dieser monolithische NPN-Leistungs-Darlington-Transistor auf Silizium-Epitaxie-Basis ist in einem Jedec TO3PN-Plastikgehäuse untergebracht. Er ist für den Einsatz in linearen und schaltenden Leistungsanwendungen vorgesehen.
Features
- Einhaltung der RoHS-Richtlinien
Technische Daten
Ausführung | NPN | |
Gehäuse | TO-3PN | |
max. Temperatur | 150 °C | |
max.Spannung zwischen Kollektor und Basis Vcbo | 120 V | |
max.Spannung zwischen Kollektor und Emitter Vceo | 120 V | |
min. Temperatur | -65 °C | |
Montage | THT | |
Nennstrom | 15 A | |
Sättigungsspannung | 2.5 V | |
Transitfrequenz fTmin | 1 MHz | |
Verlustleistung VA (AC) | 150 W | |
Kollektorstrom | 15 A |
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Logistik
Ursprungsland | CN |
Zolltarifnummer | 85412900 |
Originalverpackung | Stange mit 25 Stück |
Compliance
RoHS konform | Ja |
Stand der RoHS-Richtlinie | 31.03.15 |
SVHC frei | Ja |