BDW83D | COMSET Semiconductors

Bipolartransistor, NPN, 15 A, 120 V, THT, TO-3PN, BDW83D

Bestellnr.: 15S5368
EAN: 4099879028563
HTN:
BDW83D
COMSET Semiconductors
BDW83D COMSET Semiconductors Bipolar Transistoren
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NPN-Leistungstransistor, BDW83D, COMSET

Dieser monolithische NPN-Leistungs-Darlington-Transistor auf Silizium-Epitaxie-Basis ist in einem Jedec TO3PN-Plastikgehäuse untergebracht. Er ist für den Einsatz in linearen und schaltenden Leistungsanwendungen vorgesehen.

Features

  • Einhaltung der RoHS-Richtlinien
Technische Daten
Ausführung NPN
Gehäuse TO-3PN
max. Temperatur 150 °C
max.Spannung zwischen Kollektor und Basis Vcbo 120 V
max.Spannung zwischen Kollektor und Emitter Vceo 120 V
min. Temperatur -65 °C
Montage THT
Nennstrom 15 A
Sättigungsspannung 2.5 V
Transitfrequenz fTmin 1 MHz
Verlustleistung VA (AC) 150 W
Kollektorstrom 15 A
Logistik
Ursprungsland CN
Zolltarifnummer 85412900
Originalverpackung Stange mit 25 Stück
Compliance
RoHS konform Ja
Stand der RoHS-Richtlinie 31.03.15
SVHC frei Ja