MJ4035 | COMSET Semiconductors
Bipolartransistor, NPN, 16 A, 100 V, THT, TO-3, MJ4035
Bestellnr.: 24S4006
EAN: 4099879029546
HTN:
MJ4035
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NPN-Leistungstransistor, MJ4035, COMSET
Der NPN-Leistungstransistor MJ4035 auf Silizium-Epitaxie-Basis in monolithischer Darlington-Konfiguration ist im TO-3-Metallgehäuse von Jedec untergebracht. Er ist für den Einsatz als Ausgangsbauelement in komplementären Allzweckverstärkeranwendungen vorgesehen.
Features
- Einhaltung der RoHS-Richtlinien
Technische Daten
Ausführung | NPN | |
Gehäuse | TO-3 | |
max. Temperatur | 200 °C | |
max.Spannung zwischen Kollektor und Basis Vcbo | 100 V | |
max.Spannung zwischen Kollektor und Emitter Vceo | 100 V | |
min. Temperatur | -65 °C | |
Montage | THT | |
Nennstrom | 16 A | |
Sättigungsspannung | 2.5 V | |
Verlustleistung VA (AC) | 150 W | |
Kollektorstrom | 16 A | |
Min Gleichstromverstärkung | 1000 mA |
Download
Logistik
Ursprungsland | CN |
Zolltarifnummer | 85412900 |
Originalverpackung | Tray mit 50 Stück |
Compliance
RoHS konform | Ja |
Stand der RoHS-Richtlinie | 31.03.15 |
SVHC frei | Ja |