IRF830PBF | COMSET Semiconductors
COMSET Semiconductors N-Kanal Power MOS Transistor, TO-220, IRF830PBF
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MOSFET NFET s Reihe IRF.../UF.
Technische Merkmale (Typ, Polarität, Spannung (VDS), Widerstand (RDS), Strom (ID), Leistung, Gehäuse, Hersteller): IRF830, N, 500 V, 1500 m Ohm, 4,7 A, 75 W, TO220, COMSET
Technische Daten
| Ausführung | N-Kanal | |
| Gehäuse | TO-220 | |
| max. Temperatur | 150 °C | |
| min. Temperatur | -55 °C | |
| Montage | THT | |
| Verlustleistung VA (AC) | 74 W |
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Logistik
| Ursprungsland | CN |
| Zolltarifnummer | 85412900 |
| Originalverpackung | Stange mit 50 Stück |
Compliance
| RoHS konform | Ja |
| Stand der RoHS-Richtlinie | 31.03.15 |
| SVHC frei | Ja |
