FM25V10-GTR | Cypress
FRAM 1 Mbit, SOIC-8, FM25V10-GTR
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Speicher ICs, FM25V10-GTR, Cypress
Der FM25V10 ist ein nichtflüchtiger 1-Mbit-Speicher, der ein fortschrittliches ferroelektrisches Verfahren verwendet: Ein ferroelektrischer Direktzugriffsspeicher (F-RAM) ist nichtflüchtig und führt Lese- und Schreibvorgänge ähnlich wie ein RAM mit 100 Billionen Lese-/Schreibzyklen oder 100 Millionen Mal mehr Schreibzyklen als EEPROM durch. Das Gerät verwendet den Hochgeschwindigkeits-SPI-Bus, der die Hochgeschwindigkeits-Schreibfähigkeit der F-RAM-Technologie verbessert, und wird mit einer eindeutigen Seriennummer angeboten, die nur lesbar ist und zur Identifizierung einer Karte oder eines Systems verwendet werden kann.
Features
- Hohe Ausdauer 100 Billionen Lese-/Schreibvorgänge
- Sehr schnelle serielle Peripherieschnittstelle (SPI)
- Hochentwickeltes Schreibschutzsystem
- Geräte-ID und Seriennummer
- Geringer Stromverbrauch
Technische Daten
| Gehäuse | SOIC-8 | |
| max. Temperatur | 85 °C | |
| min. Temperatur | -40 °C | |
| Montage | SMD | |
| Spannung | 2-3,6 V | |
| Speichergröße | 1 Mbit | |
| Taktfrequenz | 40 MHz | |
| Technologie | FRAM |
Download
Logistik
| Zolltarifnummer | 85423290 |
| MSL | MSL 3 |
| Originalverpackung | Rolle mit 2.500 Stück |
Compliance
| RoHS konform | Ja |
| Stand der RoHS-Richtlinie | 31.03.15 |
| SVHC frei | Ja |
