2N7002E-7-F | Diodes

Diodes N-Kanal MOSFET, 60 V, 300 mA, TO-236, 2N7002E-7-F

Bestellnr.: 34S3271
EAN: 4099879034656
HTN:
2N7002E-7-F
Herstellerserien: 2N7
Diodes
2N7002E-7-F Diodes MOSFETs
Abbildung kann abweichen
Einzelpreis (€ / Stk.)
0,0833 € *
Sofort verfügbar: 50.882 Stk.
Lieferzeit ab Hersteller: 1 Woche **
Gesamtpreis:
8,33 € *
Preisstaffel
Anzahl
Preis pro Einheit*
100 Stk.
0,0833 €
300 Stk.
0,0607 €
1000 Stk.
0,0500 €
3000 Stk.
0,0428 €
10000 Stk.
0,0381 €
*inkl. MwSt. zzgl. Versandkosten
**Zwischenverkauf vorbehalten

N-Channel MOSFETs Typ Diodes 2N7000.

Mit niedrigem RDS(ON), niedrigem Schwellwert, geringe Eingangskapazität, schnelle Schaltgeschwindigkeit, AEC-Q101 qualifiziert; Gehäuse: SOT23, Betriebstemperatur: –55 bis +150 °C.

Technische Merkmale (Typ, Spannung (VDSS), Strom (ID), Widerstand RDS(ON)): 2N7002E-7-F, 60 V, 300 mA, 3,0 Ohm

Technische Daten
Ausführung N-Kanal
Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V 3 Ω
Gate Charge Qg @10V (nC) 2.2x10<sup>-10</sup> C
Gehäuse TO-236
max. Spannung 60 V
max. Strom 300 mA
max. Temperatur 150 °C
min. Temperatur -55 °C
Montage SMD
Verlustleistung W (DC) 370 mW
Logistik
Ursprungsland CN
Zolltarifnummer 85412900
Originalverpackung Rolle mit 3.000 Stück
Compliance
RoHS konform Ja
SVHC frei Ja