2N7002E-7-F | Diodes
Diodes N-Kanal MOSFET, 60 V, 300 mA, TO-236, 2N7002E-7-F
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N-Channel MOSFETs Typ Diodes 2N7000.
Mit niedrigem RDS(ON), niedrigem Schwellwert, geringe Eingangskapazität, schnelle Schaltgeschwindigkeit, AEC-Q101 qualifiziert; Gehäuse: SOT23, Betriebstemperatur: –55 bis +150 °C.
Technische Merkmale (Typ, Spannung (VDSS), Strom (ID), Widerstand RDS(ON)): 2N7002E-7-F, 60 V, 300 mA, 3,0 Ohm
Technische Daten
Ausführung | N-Kanal | |
Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V | 3 Ω | |
Gate Charge Qg @10V (nC) | 2.2x10<sup>-10</sup> C | |
Gehäuse | TO-236 | |
max. Spannung | 60 V | |
max. Strom | 300 mA | |
max. Temperatur | 150 °C | |
min. Temperatur | -55 °C | |
Montage | SMD | |
Verlustleistung W (DC) | 370 mW |
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Logistik
Ursprungsland | CN |
Zolltarifnummer | 85412900 |
Originalverpackung | Rolle mit 3.000 Stück |
Compliance
RoHS konform | Ja |
SVHC frei | Ja |