DMN65D8L-7 | Diodes

Name: Diodes N-Kanal MOSFET, 60 V, 310 mA, TO-236, DMN65D8L-7
Brand: Diodes
SKU: 33S2414
Price: 0.03 EUR
Availability: OutOfStock

Diodes N-Kanal MOSFET, 60 V, 310 mA, TO-236, DMN65D8L-7

Bestellnr.: 33S2414

EAN: 4099879034441

HTN:

DMN65D8L-7

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Wichtige Spezifikationen:

Ausführung N-Kanal

max. Spannung 60 V

max. Strom 310 mA

Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V 3 Ω

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Produktbeschreibung

MOSFET, DMN65D8L-7, Diodes

Dieser MOSFET der neuen Generation wurde entwickelt, um den Durchlasswiderstand (RDS(ON)) zu minimieren und dennoch eine hervorragende Schaltleistung beizubehalten, wodurch er sich ideal für hocheffiziente Power-Management-Anwendungen eignet.

Features

Niedriger Ein-Widerstand
Niedrige Gate-Schwellenwertspannung
Niedrige Eingangskapazität
Schnelle Schaltgeschwindigkeit

Technische Daten

	Ausführung	N-Kanal
	Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V	3 Ω
	Gate Charge Qg @10V (nC)	8.7x10<sup>-10</sup> C
	Gehäuse	TO-236
	max. Spannung	60 V
	max. Strom	310 mA
	max. Temperatur	150 °C
	min. Temperatur	-55 °C
	Montage	SMD