ZXM61N03FTA | Diodes
Diodes N-Kanal MOSFET, 30 V, 1.4 A, TO-236, ZXM61N03FTA
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MOSFET, ZXM61N03FTA, Diodes
Diese neue Generation von High-Density-MOSFETs nutzt eine einzigartige Struktur, die die Vorteile eines niedrigen Durchlasswiderstands mit einer hohen Schaltgeschwindigkeit kombiniert. Dies macht sie ideal für hocheffiziente Niederspannungs-Power-Management-Anwendungen.
Features
- Niedriger Ein-Widerstand
- Schnelle Schaltgeschwindigkeit
- Niedrige Schwelle
- Niedrige Gate-Ansteuerung
Technische Daten
Ausführung | N-Kanal | |
Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V | 220 mΩ | |
Gate Charge Qg @10V (nC) | 4.1x10<sup>-9</sup> C | |
Gehäuse | TO-236 | |
max. Spannung | 30 V | |
max. Strom | 1.4 A | |
max. Temperatur | 150 °C | |
min. Temperatur | -55 °C | |
Montage | SMD | |
Verlustleistung W (DC) | 806 mW |
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Logistik
Ursprungsland | CN |
Zolltarifnummer | 85412900 |
Originalverpackung | Rolle mit 3.000 Stück |
Compliance
RoHS konform | Ja |
SVHC frei | Ja |