BC850BWH6327XTSA1 | Infineon Technologies

Name: Bipolartransistor, NPN, 100 mA, 45 V, SMD, SOT-23, BC850BWH6327XTSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 12S6278
Price: 0.10 EUR
Availability: InStock

Bipolartransistor, NPN, 100 mA, 45 V, SMD, SOT-23, BC850BWH6327XTSA1

Bestellnr.: 12S6278

EAN: 4099879027306

HTN:

BC850BWH6327XTSA1

Herstellerserien: BC8x

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Wichtige Spezifikationen:

Montage SMD

Gehäuse SOT-23

Ausführung NPN

Sättigungsspannung 250 mV

Kollektorstrom 100 mA

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Produktbeschreibung

Bipolartransistor, BC850BWH6327XTSA1, Infineon Technologies

Features

Hohe Stromverstärkung
Niedrige Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
Geräuscharm
Pb-frei und RoHs-konform

Anwendungen

Für AF-Eingangsstufen und Treiberanwendungen

Technische Daten

	Ausführung	NPN
	Gehäuse	SOT-23
	max. Temperatur	150 °C
	max.Spannung zwischen Kollektor und Basis Vcbo	50 V
	max.Spannung zwischen Kollektor und Emitter Vceo	45 V
	min. Temperatur	-65 °C
	Montage	SMD
	Nennstrom	100 mA
	Sättigungsspannung	250 mV
	Transitfrequenz fTmin	250 MHz
	Verlustleistung VA (AC)	0.25 W
	Kollektorstrom	100 mA
	Max Gleichstromverstärkung	450 mA
	Min Gleichstromverstärkung	200 mA