BC850CE6327 | Infineon Technologies

Name: Bipolartransistor, NPN, 100 mA, 45 V, SMD, SOT-23, BC850CE6327
Brand: Infineon Technologies
SKU: 12S6279
Price: 0.11 EUR
Availability: InStock

Bipolartransistor, NPN, 100 mA, 45 V, SMD, SOT-23, BC850CE6327

Bestellnr.: 12S6279

EAN: 4099879027313

HTN:

BC850CE6327

Herstellerserien: BC8x

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Wichtige Spezifikationen:

Montage SMD

Gehäuse SOT-23

Ausführung NPN

Sättigungsspannung 250 mV

Kollektorstrom 100 mA

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Produktbeschreibung

Bipolartransistor, BC850CE6327, Infineon Technologies

Features

Hohe Stromverstärkung
Niedrige Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
Geräuscharm
Pb-frei und RoHs-konform

Anwendungen

Für AF-Eingangsstufen und Treiberanwendungen

Technische Daten

	Ausführung	NPN
	Gehäuse	SOT-23
	max. Temperatur	150 °C
	max.Spannung zwischen Kollektor und Basis Vcbo	50 V
	max.Spannung zwischen Kollektor und Emitter Vceo	45 V
	min. Temperatur	-65 °C
	Montage	SMD
	Nennstrom	100 mA
	Sättigungsspannung	250 mV
	Transitfrequenz fTmin	250 MHz
	Verlustleistung VA (AC)	0.33 W
	Kollektorstrom	100 mA
	Max Gleichstromverstärkung	800 mA
	Min Gleichstromverstärkung	420 mA