BCR112E6327 | Infineon Technologies

Bipolartransistor, NPN, 100 mA, 50 V, SMD, SOT-23, BCR112E6327

Bestellnr.: 12S6600
EAN: 4099879027535
HTN:
BCR112E6327
Herstellerserien: BCR
Infineon Technologies
BCR112E6327 Infineon Technologies Bipolar Transistoren
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Bipolartransistor, BCR112E6327, Infineon Technologies

Features

  • Eingebauter Vorspannungswiderstand
  • Niedrige Stromverstärkung
  • Hohe Kollektor-Emitter-Durchbruchsspannung
  • Pb-frei und RoHs-konform

Anwendungen

  • Schaltkreis
  • Wechselrichter
  • Interface-Schaltung
  • Treiberschaltung
Technische Daten
Ausführung NPN
Gehäuse SOT-23
max. Temperatur 150 °C
max.Spannung zwischen Kollektor und Basis Vcbo 50 V
max.Spannung zwischen Kollektor und Emitter Vceo 50 V
min. Temperatur -65 °C
Montage SMD
Nennstrom 100 mA
Sättigungsspannung 300 mV
Transitfrequenz fTmin 140 MHz
Verlustleistung VA (AC) 0.2 W
Kollektorstrom 100 mA
Min Gleichstromverstärkung 20 mA
Logistik
Ursprungsland CN
Zolltarifnummer 85412900
Originalverpackung Rolle mit 3.000 Stück
Compliance
RoHS konform Ja
Stand der RoHS-Richtlinie 31.03.15
SVHC frei Ja