BCR183E6327 | Infineon Technologies
Bipolartransistor, PNP, 100 mA, 50 V, SMD, SOT-23, BCR183E6327
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Bipolartransistor, BCR183E6327, Infineon Technologies
Features
- Eingebauter Vorspannungswiderstand
- Niedrige Stromverstärkung
- Hohe Kollektor-Emitter-Durchbruchsspannung
- Pb-frei und RoHs-konform
Anwendungen
- Schaltkreis
- Wechselrichter
- Interface-Schaltung
- Treiberschaltung
Technische Daten
Ausführung | PNP | |
Gehäuse | SOT-23 | |
max. Temperatur | 150 °C | |
max.Spannung zwischen Kollektor und Basis Vcbo | 50 V | |
max.Spannung zwischen Kollektor und Emitter Vceo | 50 V | |
min. Temperatur | -65 °C | |
Montage | SMD | |
Nennstrom | 100 mA | |
Sättigungsspannung | 300 mV | |
Transitfrequenz fTmin | 200 MHz | |
Verlustleistung VA (AC) | 0.2 W | |
Kollektorstrom | 100 mA | |
Min Gleichstromverstärkung | 30 mA |
Download
Logistik
Ursprungsland | CN |
Zolltarifnummer | 85412900 |
Originalverpackung | Rolle mit 36.000 Stück |
Compliance
RoHS konform | Ja |
Stand der RoHS-Richtlinie | 31.03.15 |
SVHC frei | Ja |