BCX55H6327XTSA1 | Infineon Technologies

Name: Bipolartransistor, NPN, 1 A, 60 V, SMD, SOT-89, BCX55H6327XTSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 12S8700
Price: 0.45 EUR
Availability: InStock

Bipolartransistor, NPN, 1 A, 60 V, SMD, SOT-89, BCX55H6327XTSA1

Bestellnr.: 12S8700

EAN: 4099879027740

HTN:

BCX55H6327XTSA1

Herstellerserien: BCW

Abbildung kann abweichen

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Wichtige Spezifikationen:

Montage SMD

Gehäuse SOT-89

Ausführung NPN

Sättigungsspannung 500 mV

Kollektorstrom 1 A

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Produktbeschreibung

Bipolartransistor, BCX55H6327XTSA1, Infineon Technologies

Der BCX55H6327XTSA1 ist ein NPN-Silizium-NF-Transistor, der für Treiber- und Ausgangsstufen verwendet wird.

Features

Hoher Kollektorstrom
Hohe Stromverstärkung
Niedrige Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
Pb-frei und RoHs-konform

Anwendungen

Für AF-Treiber und Endstufen

Technische Daten

	Ausführung	NPN
	Gehäuse	SOT-89
	max. Temperatur	150 °C
	max.Spannung zwischen Kollektor und Basis Vcbo	60 V
	max.Spannung zwischen Kollektor und Emitter Vceo	60 V
	min. Temperatur	-65 °C
	Montage	SMD
	Nennstrom	1 A
	Sättigungsspannung	500 mV
	Transitfrequenz fTmin	100 MHz
	Verlustleistung VA (AC)	2 W
	Kollektorstrom	1 A
	Max Gleichstromverstärkung	250 mA
	Min Gleichstromverstärkung	40 mA