BFP182WH6327XTSA1 | Infineon Technologies
Bipolartransistor, NPN, 35 mA, 12 V, SMD, SOT-343, BFP182WH6327XTSA1
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Bipolartransistor, BFP182WH6327XTSA1, Infineon Technologies
Features
- Hohe Stromverstärkung
- Niedrige Kollektor-Emitter-Durchbruchsspannung
- Geräuscharm
- Pb-frei und RoHs-konform
Technische Daten
Ausführung | NPN | |
Gehäuse | SOT-343 | |
max. Temperatur | 150 °C | |
max.Spannung zwischen Kollektor und Basis Vcbo | 20 V | |
max.Spannung zwischen Kollektor und Emitter Vceo | 12 V | |
min. Temperatur | -55 °C | |
Montage | SMD | |
Transitfrequenz fTmin | 6 GHz | |
Verlustleistung VA (AC) | 0.25 W | |
Kollektorstrom | 35 mA | |
Max Gleichstromverstärkung | 140 mA | |
Min Gleichstromverstärkung | 70 mA |
Download
Logistik
Zolltarifnummer | 85412900 |
Originalverpackung | Rolle mit 9.000 Stück |
Compliance
RoHS konform | Ja |
Stand der RoHS-Richtlinie | 31.03.15 |
SVHC frei | Ja |