BFP640ESDH6327XTSA1 | Infineon Technologies
Bipolartransistor, NPN, 50 mA, 4.1 V, SMD, SOT-343, BFP640ESDH6327XTSA1
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Bipolartransistor, BFP640ESDH6327XTSA1, Infineon Technologies
Der BFP640ESDH6327XTSA1 ist ein bipolarer RF-Transistor auf Basis der SiGe:C-Technologie. Dank seiner ESD-Struktur, seiner hohen HF-Verstärkung und seiner niedrigen Rauschzahl eignet sich der Baustein für eine Vielzahl von Wireless-Anwendungen.
Features
- Hohe Verstärkung
- Hohe ESD-Robustheit
- Geräuscharm
- Pb-frei und RoHs-konform
Anwendungen
- Geräuscharm-Verstärker (LNAs) in GNSS-Empfängern
- LNAs in Satellitenradioempfängern (SDARs, DAB)
- LNAs in Multimedia-Anwendungen wie CATV und FM-Radio
Technische Daten
| Ausführung | NPN | |
| Gehäuse | SOT-343 | |
| max. Temperatur | 150 °C | |
| max.Spannung zwischen Kollektor und Basis Vcbo | 4.8 V | |
| max.Spannung zwischen Kollektor und Emitter Vceo | 4.1 V | |
| min. Temperatur | -55 °C | |
| Montage | SMD | |
| Transitfrequenz fTmin | 45 GHz | |
| Verlustleistung VA (AC) | 0.2 W | |
| Kollektorstrom | 50 mA | |
| Max Gleichstromverstärkung | 270 mA | |
| Min Gleichstromverstärkung | 110 mA |
Download
Logistik
| Zolltarifnummer | 85412900 |
| Originalverpackung | Rolle mit 1 Stück |
Compliance
| RoHS konform | Ja |
| Stand der RoHS-Richtlinie | 31.03.15 |
| SVHC frei | Ja |
