BFP740ESDH6327XTSA1 | Infineon Technologies
Bipolartransistor, NPN, 45 mA, 4.2 V, SMD, SOT-343, BFP740ESDH6327XTSA1
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Bipolartransistor, BFP740ESDH6327XTSA1, Infineon Technologies
Der BFP740ESDH6327XTSA1 ist ein Breitband-NPN-HF-Heteroübergang-Bipolartransistor (HBT) mit integriertem ESD-Schutz.
Features
- Einzigartige Kombination aus High-End-RF-Leistung und Robustheit
- Hohe Verstärkung
- Integrierte Schutzschaltung
Anwendungen
- Satellitenkommunikationssysteme: GNSS-Navigationssysteme (GPS, GLONASS, BeiDou, Galileo), Satellitenradio (SDARs, DAB) und C-Band-LNB
- Wireless-Kommunikation: WLAN, WiMax und UWB
- Multimedia-Anwendungen wie tragbares Fernsehen, CATV und FM-Radio
- ISM-Anwendungen wie RKE, AMR und Zigbee sowie für neue drahtlose Anwendungen
Technische Daten
| Ausführung | NPN | |
| Gehäuse | SOT-343 | |
| max. Temperatur | 150 °C | |
| max.Spannung zwischen Kollektor und Basis Vcbo | 4.9 V | |
| max.Spannung zwischen Kollektor und Emitter Vceo | 4.2 V | |
| min. Temperatur | -55 °C | |
| Montage | SMD | |
| Transitfrequenz fTmin | 45 GHz | |
| Verlustleistung VA (AC) | 0.16 W | |
| Kollektorstrom | 45 mA | |
| Max Gleichstromverstärkung | 400 mA | |
| Min Gleichstromverstärkung | 160 mA |
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Logistik
| Zolltarifnummer | 85412900 |
| Originalverpackung | Rolle mit 3.000 Stück |
