BFP840ESDH6327XTSA1 | Infineon Technologies
Bipolartransistor, NPN, 35 mA, 2.25 V, SMD, SOT-343, BFP840ESDH6327XTSA1
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Bipolartransistor, BFP840ESDH6327XTSA1, Infineon Technologies
Der BFP840ESDH6327XTSA1 ist ein hochleistungsfähiger HBT (Heterojunction Bipolar Transistor), der speziell für 5-6 GHz Wi-Fi-Anwendungen entwickelt wurde. Der Baustein basiert auf einer zuverlässigen SiGe:C-Technologie für hohe Stückzahlen.
Features
- Hohe Verstärkung
- Hoher ESD-Schutz
- Geräuscharm
- Pb-frei und RoHs-konform
Anwendungen
- Als Geräuscharm-Verstärker (LNA) in mobilen, tragbaren und festen Verbindungsanwendungen.
- Ideal für Niedrige Spannung Anwendungen
- Ka-Band-Oszillatoren
- Satellitenkommunikationssysteme, Navigationssysteme, Satellitenradio und C-Band LNB
Technische Daten
| Ausführung | NPN | |
| Gehäuse | SOT-343 | |
| max. Temperatur | 150 °C | |
| max.Spannung zwischen Kollektor und Basis Vcbo | 2.9 V | |
| max.Spannung zwischen Kollektor und Emitter Vceo | 2.25 V | |
| min. Temperatur | -55 °C | |
| Montage | SMD | |
| Transitfrequenz fTmin | 80 GHz | |
| Verlustleistung VA (AC) | 0.075 W | |
| Kollektorstrom | 35 mA | |
| Max Gleichstromverstärkung | 450 mA | |
| Min Gleichstromverstärkung | 150 mA |
Download
Logistik
| Zolltarifnummer | 85412900 |
| Originalverpackung | Rolle mit 3.000 Stück |
Compliance
| RoHS konform | Ja |
| Stand der RoHS-Richtlinie | 31.03.15 |
| SVHC frei | Ja |
