BFP842ESDH6327XTSA1 | Infineon Technologies
Bipolartransistor, NPN, 40 mA, 3.25 V, SMD, SOT-343, BFP842ESDH6327XTSA1
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Bipolartransistor, BFP842ESDH6327XTSA1, Infineon Technologies
Der BFP842ESDH6327XTSA1 ist ein Hochleistungs-HF-Heteroübergangs-Bipolartransistor (HBT) mit integriertem ESD-Schutz, der für LNA-Anwendungen von 2,3 bis 3,5 GHz geeignet ist.
Features
- Einzigartige Kombination aus High-End-RF-Leistung und Robustheit
- Integrierte Schutzschaltungen
- Hohe RF-Verstärkung
- Hohe Übergangsfrequenz
Anwendungen
- Wireless-Kommunikation: WLAN, WiMAX und Bluetooth
- Satellitenkommunikationssysteme: GNSS-Navigationssysteme, Satellitenfunk und C-Band-LNB
- Multimedia-Anwendungen wie mobiles/portables Fernsehen, Handy-TV und FM-Radio
- ISM-Anwendungen wie RKE, AMR und Zigbee
Technische Daten
| Ausführung | NPN | |
| Gehäuse | SOT-343 | |
| max. Temperatur | 150 °C | |
| max.Spannung zwischen Kollektor und Basis Vcbo | 4.1 V | |
| max.Spannung zwischen Kollektor und Emitter Vceo | 3.25 V | |
| min. Temperatur | -55 °C | |
| Montage | SMD | |
| Transitfrequenz fTmin | 57 GHz | |
| Verlustleistung VA (AC) | 0.12 W | |
| Kollektorstrom | 40 mA | |
| Max Gleichstromverstärkung | 450 mA | |
| Min Gleichstromverstärkung | 150 mA |
Download
Logistik
| Zolltarifnummer | 85412900 |
| Originalverpackung | Rolle mit 3.000 Stück |
Compliance
| RoHS konform | Ja |
| Stand der RoHS-Richtlinie | 31.03.15 |
| SVHC frei | Ja |
