BFR106E6327 | Infineon Technologies
Bipolartransistor, NPN, 210 mA, 16 V, SMD, SOT-23, BFR106E6327
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Bipolartransistor, BFR106E6327, Infineon Technologies
Der BFR106E6327 ist ein rauscharmer bipolarer Silizium-HF-Transistor, der für UHF/VHF-Anwendungen verwendet wird.
Features
- Niedrige Stromverstärkung
- Hohe Kollektor-Emitter-Durchbruchsspannung
- Geräuscharm
- Pb-frei und RoHs-konform
Anwendungen
- Für UHF / VHF-Anwendungen
- Für lineare Breitband- und Antennenverstärker
Technische Daten
Ausführung | NPN | |
Gehäuse | SOT-23 | |
max. Temperatur | 150 °C | |
max.Spannung zwischen Kollektor und Basis Vcbo | 20 V | |
max.Spannung zwischen Kollektor und Emitter Vceo | 16 V | |
min. Temperatur | -55 °C | |
Montage | SMD | |
Transitfrequenz fTmin | 5 GHz | |
Verlustleistung VA (AC) | 0.7 W | |
Kollektorstrom | 210 mA | |
Max Gleichstromverstärkung | 140 mA | |
Min Gleichstromverstärkung | 70 mA |
Download
Logistik
Ursprungsland | CN |
Zolltarifnummer | 85412900 |
Compliance
RoHS konform | Ja |
Stand der RoHS-Richtlinie | 31.03.15 |
SVHC frei | Ja |