BFR183E6327 | Infineon Technologies

Bipolartransistor, NPN, 65 mA, 12 V, SMD, SOT-23, BFR183E6327

Bestellnr.: 16S9825
EAN: 4099879029010
HTN:
BFR183E6327
Herstellerserien: BFR
Infineon Technologies
BFR183E6327 Infineon Technologies Bipolar Transistoren
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Bipolartransistor, BFR183E6327, Infineon Technologies

Der BFR183E6327 ist ein rauscharmer bipolarer Silizium-HF-Transistor, der für Breitbandverstärker mit hoher Verstärkung verwendet wird.

Features

  • Niedrige Stromverstärkung
  • Hohe Kollektor-Emitter-Durchbruchsspannung
  • Geräuscharm
  • Pb-frei und RoHs-konform

Anwendungen

  • Für Geräuscharm-Anwendungen
  • Für Breitbandverstärker mit hoher Verstärkung
Technische Daten
Ausführung NPN
Gehäuse SOT-23
max. Temperatur 150 °C
max.Spannung zwischen Kollektor und Basis Vcbo 20 V
max.Spannung zwischen Kollektor und Emitter Vceo 12 V
min. Temperatur -55 °C
Montage SMD
Transitfrequenz fTmin 8 GHz
Verlustleistung VA (AC) 0.45 W
Kollektorstrom 65 mA
Max Gleichstromverstärkung 140 mA
Min Gleichstromverstärkung 70 mA
Logistik
Ursprungsland MY
Zolltarifnummer 85412900
Compliance
RoHS konform Ja
Stand der RoHS-Richtlinie 31.03.15
SVHC frei Ja