SMBT2222AE6327 | Infineon Technologies
Bipolartransistor, NPN, 600 mA, 40 V, SMD, SOT-23, SMBT2222AE6327
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Bipolartransistor, SMBT2222AE6327, Infineon Technologies
Features
- Niedrige Stromverstärkung
- Niedrige Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
- Pb-frei und RoHs-konform
Technische Daten
| Ausführung | NPN | |
| Gehäuse | SOT-23 | |
| max. Temperatur | 150 °C | |
| max.Spannung zwischen Kollektor und Basis Vcbo | 75 V | |
| max.Spannung zwischen Kollektor und Emitter Vceo | 40 V | |
| min. Temperatur | -65 °C | |
| Montage | SMD | |
| Nennstrom | 600 mA | |
| Sättigungsspannung | 300 mV | |
| Transitfrequenz fTmin | 300 MHz | |
| Verlustleistung VA (AC) | 0.33 W | |
| Kollektorstrom | 600 mA | |
| Max Gleichstromverstärkung | 300 mA | |
| Min Gleichstromverstärkung | 100 mA |
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Logistik
| Ursprungsland | CN |
| Zolltarifnummer | 85412900 |
Compliance
| RoHS konform | Ja |
| Stand der RoHS-Richtlinie | 31.03.15 |
| SVHC frei | Ja |
