IGB20N60H3 | Infineon Technologies
IGBT, 600 V, 20 A, TO263-3, Infineon Technologies IGB20N60H3
Bestellnr.: 54S1098
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IGB20N60H3
SP000852232
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IGBT, IGB20N60H3, INFINEON
Die 600 V, 20 A TRENCHSTOP-Hochgeschwindigkeitstechnologie bietet den besten Kompromiss zwischen Schalt- und Leitungsverlusten. Das Hauptmerkmal dieses Produkts ist ein MOSFET-ähnliches Abschaltverhalten, das zu geringen Abschaltverlusten führt.
Features
- Hohe Stromdichte
- Auswahl eines niedrigen Gate-Widerstands möglich (bis zu 5 Ω) bei gleichzeitig hervorragendem Schaltverhalten
- Gehäuse mit und ohne Freilaufdiode für mehr Designfreiheit
- Sehr gutes EMI-Verhalten
- Kann mit einem kleinen Gate-Widerstand verwendet werden, um die Verzögerungszeit und das Überschwingen der Spannung zu reduzieren
Anwendungen
- Industrielles Heizen und Schweißen
- Lösungen für photovoltaische Energiesysteme
- Unterbrechungsfreie Stromversorgung
Technische Daten
| Ausführung | Hochgeschwindigkeits-IGBT | |
| Gehäuse | TO263-3 | |
| max. Spannung | 600 V | |
| max. Strom | 20 A | |
| max. Temperatur | 175 °C | |
| Montage | SMD |
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Logistik
| Ursprungsland | MY |
| Originalverpackung | Rolle mit 1.000 Stück |
Compliance
| RoHS konform | Ja |
| Stand der RoHS-Richtlinie | 31.03.15 |
| SVHC frei | Ja |