IGB20N60H3 | Infineon Technologies

IGBT, 600 V, 20 A, TO263-3, Infineon Technologies IGB20N60H3

Bestellnr.: 54S1098
HTN:
IGB20N60H3
SP000852232
IGB20N60H3 Infineon Technologies IGBTs
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IGBT, IGB20N60H3, INFINEON

Die 600 V, 20 A TRENCHSTOP-Hochgeschwindigkeitstechnologie bietet den besten Kompromiss zwischen Schalt- und Leitungsverlusten. Das Hauptmerkmal dieses Produkts ist ein MOSFET-ähnliches Abschaltverhalten, das zu geringen Abschaltverlusten führt.

Features

  • Hohe Stromdichte
  • Auswahl eines niedrigen Gate-Widerstands möglich (bis zu 5 Ω) bei gleichzeitig hervorragendem Schaltverhalten
  • Gehäuse mit und ohne Freilaufdiode für mehr Designfreiheit
  • Sehr gutes EMI-Verhalten
  • Kann mit einem kleinen Gate-Widerstand verwendet werden, um die Verzögerungszeit und das Überschwingen der Spannung zu reduzieren

Anwendungen

  • Industrielles Heizen und Schweißen
  • Lösungen für photovoltaische Energiesysteme
  • Unterbrechungsfreie Stromversorgung
Technische Daten
Ausführung Hochgeschwindigkeits-IGBT
Gehäuse TO263-3
max. Spannung 600 V
max. Strom 20 A
max. Temperatur 175 °C
Montage SMD
Logistik
Ursprungsland MY
Originalverpackung Rolle mit 1.000 Stück
Compliance
RoHS konform Ja
Stand der RoHS-Richtlinie 31.03.15
SVHC frei Ja