BSC016N03LSGATMA1 | Infineon Technologies

Name: Infineon Technologies N-Kanal OptiMOS3 Power MOSFET, 30 V, 100 A, PG-TDSON-8, BSC016N03LSGATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 88S7263
Price: 0.93 EUR
Availability: OutOfStock

Infineon Technologies N-Kanal OptiMOS3 Power MOSFET, 30 V, 100 A, PG-TDSON-8, BSC016N03LSGATMA1

Bestellnr.: 88S7263

EAN: 4099879034922

HTN:

BSC016N03LSGATMA1

SP000237663

Herstellerserien: BSC

BSC016N03LSGATMA1 Infineon Technologies MOSFETs Bild 1

BSC016N03LSGATMA1 Infineon Technologies MOSFETs Bild 2

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Wichtige Spezifikationen:

Ausführung N-Kanal

max. Spannung 30 V

max. Strom 100 A

Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V 1.6 mΩ

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Produktbeschreibung

MOSFETs, BSC016N03LSGATMA1, Infineon Technologies

Features

Schnell schaltender MOSFET für SMPS
Optimierte Technologie für DC/DC-Wandler
N-Kanal
Sehr niedriger On-Widerstand

Anwendungen

Ladegerät an Bord
Notebook
Hauptplatine
DC-DC
VRD/VRM
Motorsteuerung
LED

Technische Daten

	Ausführung	N-Kanal
	Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V	1.6 mΩ
	Gate Charge Qg @10V (nC)	4.7x10<sup>-8</sup> C
	Gehäuse	PG-TDSON-8
	max. Spannung	30 V
	max. Strom	100 A
	max. Temperatur	150 °C
	min. Temperatur	-55 °C
	Montage	SMD
	Verlustleistung W (DC)	125 W