BSC018N04LSGATMA1 | Infineon Technologies
Infineon Technologies N-Kanal OptiMOS3 Power Transistor, 40 V, 30 A, PG-TDSON-8, BSC018N04LSGATMA1
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MOSFETs, BSC018N04LSGATMA1, Infineon Technologies
Features
- Schnell schaltender MOSFET für SMPS
- Optimierte Technologie für DC/DC-Wandler
- N-Kanal
- Sehr niedriger On-Widerstand
Anwendungen
- Synchrone Gleichrichtung
- Isolierte DC-DC-Wandler
- Motorsteuerung
- Or-ing Schalter
Technische Daten
Ausführung | N-Kanal | |
Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V | 1.8 mΩ | |
Gate Charge Qg @10V (nC) | 5.4x10<sup>-8</sup> C | |
Gehäuse | PG-TDSON-8 | |
max. Spannung | 40 V | |
max. Strom | 30 A | |
max. Temperatur | 150 °C | |
min. Temperatur | -55 °C | |
Montage | SMD | |
Verlustleistung W (DC) | 125 W |
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Logistik
Zolltarifnummer | 85412900 |
Originalverpackung | Rolle mit 1 Stück |