BSC120N03MSGATMA1 | Infineon Technologies

Name: Infineon Technologies N-Kanal OptiMOS3 M-Serie Power MOSFET, 30 V, 11 A, PG-TDSON-8, BSC120N03MSGATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 88S7332
Price: 0.63 EUR
Availability: OutOfStock

Infineon Technologies N-Kanal OptiMOS3 M-Serie Power MOSFET, 30 V, 11 A, PG-TDSON-8, BSC120N03MSGATMA1

Bestellnr.: 88S7332

EAN: 4099879034953

HTN:

BSC120N03MSGATMA1

SP000311516

Herstellerserien: BSC

BSC120N03MSGATMA1 Infineon Technologies MOSFETs

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Wichtige Spezifikationen:

Ausführung N-Kanal

max. Spannung 30 V

max. Strom 11 A

Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V 12 mΩ

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Produktbeschreibung

MOSFETs, BSC120N03MSGATMA1, Infineon Technologies

Features

Optimiert für 5V-Treiberanwendungen
Niedriges FOM für Hochfrequenz-SMPS
N-Kanal
Sehr niedriger On-Widerstand

Anwendungen

Ladegerät an Bord
Notebook
Hauptplatine
DC-DC
VRD/VRM
Motorsteuerung
LED

Technische Daten

	Ausführung	N-Kanal
	Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V	12 mΩ
	Gate Charge Qg @10V (nC)	1.5x10<sup>-8</sup> C
	Gehäuse	PG-TDSON-8
	max. Spannung	30 V
	max. Strom	11 A
	max. Temperatur	150 °C
	min. Temperatur	-55 °C
	Montage	SMD