BSC886N03LSGATMA1 | Infineon Technologies

Name: Infineon Technologies N-Kanal OptiMOS3 Power MOSFET, 30 V, 13 A, TDSON-8, BSC886N03LSGATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 88S7361
Price: 0.37 EUR
Availability: OutOfStock

Infineon Technologies N-Kanal OptiMOS3 Power MOSFET, 30 V, 13 A, TDSON-8, BSC886N03LSGATMA1

Bestellnr.: 88S7361

EAN: 4099879034960

HTN:

BSC886N03LSGATMA1

SP000475950

Herstellerserien: BSC

BSC886N03LSGATMA1 Infineon Technologies MOSFETs

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Wichtige Spezifikationen:

Ausführung N-Kanal

max. Spannung 30 V

max. Strom 13 A

Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V 6 mΩ

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Produktbeschreibung

MOSFETs, BSC886N03LSGATMA1, Infineon Technologies

Features

Schnell schaltender MOSFET für SMPS
Optimierte Technologie für DC/DC-Wandler
N-Kanal
Sehr niedriger On-Widerstand

Anwendungen

Ladegerät an Bord
Notebook
Hauptplatine
DC-DC
VRD/VRM
Motorsteuerung
LED

Technische Daten

	Ausführung	N-Kanal
	Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V	6 mΩ
	Gate Charge Qg @10V (nC)	1.2x10<sup>-8</sup> C
	Gehäuse	TDSON-8
	max. Spannung	30 V
	max. Strom	13 A
	max. Temperatur	150 °C
	min. Temperatur	-55 °C
	Montage	SMD