BSO110N03MSGXUMA1 | Infineon Technologies
Infineon Technologies N-Kanal OptiMOS 3 M-Serie Power MOSFET, 30 V, 12.1 A, PG-DSO-8, BSO110N03MSGXUMA1
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MOSFETs, BSO110N03MSGXUMA1, Infineon Technologies
Features
- Optimiert für 5V-Treiberanwendungen
- Niedriges FOM für Hochfrequenz-SMPS
- N-Kanal
- Sehr niedriger On-Widerstand
Anwendungen
- Ladegerät an Bord
- Notebook
- Hauptplatine
- DC-DC
- VRD/VRM
- Motorsteuerung
- LED
Technische Daten
Ausführung | N-Kanal | |
Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V | 11 mΩ | |
Gate Charge Qg @10V (nC) | 1.5x10<sup>-8</sup> C | |
Gehäuse | PG-DSO-8 | |
max. Spannung | 30 V | |
max. Strom | 12.1 A | |
max. Temperatur | 150 °C | |
min. Temperatur | -55 °C | |
Montage | SMD | |
Verlustleistung W (DC) | 2.5 W |
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Logistik
Zolltarifnummer | 85412900 |
Originalverpackung | Rolle mit 1 Stück |