BSO615CGHUMA1 | Infineon Technologies

Name: Infineon Technologies N/P-Kanal SIPMOS Small-Signal Transistor, 60 V, 3.1 A, SOIC-8, BSO615CGHUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 17S7494
Price: 1.15 EUR
Availability: OutOfStock

Infineon Technologies N/P-Kanal SIPMOS Small-Signal Transistor, 60 V, 3.1 A, SOIC-8, BSO615CGHUMA1

Bestellnr.: 17S7494

EAN: 4099879032881

HTN:

BSO615CGHUMA1

Herstellerserien: BSO615

Abbildung kann abweichen

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Wichtige Spezifikationen:

Ausführung N/P-Kanal

max. Spannung 60 V

max. Strom 3.1 A

Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V 110 mΩ

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Produktbeschreibung

Doppel-MOSFET, BSO615CGHUMA1, Infineon Technologies

Der BSO615C G ist ein SIPMOS® Kleinsignaltransistor mit zwei N/P-Kanälen im Anreicherungsmodus für DC/DC-Wandler- und On-Board-Ladegeräte-Anwendungen. Es handelt sich um einen komplementären MOSFET mit einem n-Kanal- und einem p-Kanal-Leistungstransistor im gleichen Gehäuse.

Features

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Logische Ebene

Technische Daten

	Ausführung	N/P-Kanal
	Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V	110 mΩ
	Gate Charge Qg @10V (nC)	1.7x10<sup>-9</sup> C
	Gehäuse	SOIC-8
	max. Spannung	60 V
	max. Strom	3.1 A
	max. Temperatur	150 °C
	min. Temperatur	-55 °C
	Montage	SMD
	Verlustleistung W (DC)	2 W