BSP322PH6327XTSA1 | Infineon Technologies
Infineon Technologies P-Kanal SIPMOS Small-Signal Transistor, -100 V, -1 A, PG-SOT223-4, BSP322PH6327XTSA1
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MOSFETs, BSP322PH6327XTSA1, Infineon Technologies
Features
- P-Kanal
- Erweiterungsmodus
- Logikpegel
- Lawine bewertet
Anwendungen
- Funktionen zur Energieverwaltung
- Motorsteuerung
- Integriertes Ladegerät
- DC-DC
- Verbraucher
- Logikpegel-Übersetzer
- Leistungs-MOSFET-Gate-Treiber
Technische Daten
| Ausführung | P-Kanal | |
| Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V | 800 mΩ | |
| Gate Charge Qg @10V (nC) | 1.24x10<sup>-8</sup> C | |
| Gehäuse | PG-SOT223-4 | |
| max. Spannung | -100 V | |
| max. Strom | -1 A | |
| max. Temperatur | 150 °C | |
| min. Temperatur | -55 °C | |
| Montage | SMD | |
| Verlustleistung W (DC) | 1.8 W |
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Logistik
| Zolltarifnummer | 85412900 |
| Originalverpackung | Rolle mit 6.000 Stück |
Compliance
| RoHS konform | Ja |
| Stand der RoHS-Richtlinie | 31.03.15 |
| SVHC frei | Ja |
