BSP613PH6327XTSA1 | Infineon Technologies
Infineon Technologies P-Kanal SIPMOS Small-Signal Transistor, -60 V, -2.9 A, PG-SOT223, BSP613PH6327XTSA1
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MOSFETs, BSP613PH6327XTSA1, Infineon Technologies
Features
- P-Kanal
- Erweiterungsmodus
- dv/dt bewertet
- Lawine bewertet
Anwendungen
- Funktionen zur Energieverwaltung
- Motorsteuerung
- Integriertes Ladegerät
- DC-DC
- Verbraucher
- Logikpegel-Übersetzer
- Leistungs-MOSFET-Gate-Treiber
Technische Daten
| Ausführung | P-Kanal | |
| Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V | 130 mΩ | |
| Gate Charge Qg @10V (nC) | 2.2x10<sup>-8</sup> C | |
| Gehäuse | PG-SOT223 | |
| max. Spannung | -60 V | |
| max. Strom | -2.9 A | |
| max. Temperatur | 150 °C | |
| min. Temperatur | -55 °C | |
| Montage | SMD | |
| Verlustleistung W (DC) | 1.8 W |
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Logistik
| Ursprungsland | CN |
| Zolltarifnummer | 85412900 |
| Originalverpackung | Rolle mit 1 Stück |
Compliance
| RoHS konform | Ja |
| Stand der RoHS-Richtlinie | 31.03.15 |
| SVHC frei | Ja |
