IPB083N10N3GATMA1 | Infineon Technologies

Name: Infineon Technologies N-Kanal OptiMOS3 Power Transistor, 100 V, 80 A, PG-TO263-3, IPB083N10N3GATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 88S8983
Price: 1.70 EUR
Availability: OutOfStock

Infineon Technologies N-Kanal OptiMOS3 Power Transistor, 100 V, 80 A, PG-TO263-3, IPB083N10N3GATMA1

Bestellnr.: 88S8983

EAN: 4099879035202

HTN:

IPB083N10N3GATMA1

SP000458812

Herstellerserien: IPB

IPB083N10N3GATMA1 Infineon Technologies MOSFETs

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Wichtige Spezifikationen:

Ausführung N-Kanal

max. Spannung 100 V

max. Strom 80 A

Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V 8.3 mΩ

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Produktbeschreibung

MOSFETs, IPB083N10N3GATMA1, Infineon Technologies

Features

N-Kanal
Ausgezeichnete Torgebühr
Sehr niedriger On-Widerstand
Ideal für hochfrequentes Schalten und synchrone Gleichrichtung

Anwendungen

Synchrongleichrichtung für AC-DC SMPS
Motorsteuerung für 48 V-80 V Systeme
Isolierte DC-DC-Wandler
Bedienung von Schaltern und Leistungsschaltern in 48-V-Systemen
Audioverstärker der Klasse D
Unterbrechungsfreie Stromversorgungen (UPS)

Technische Daten

	Ausführung	N-Kanal
	Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V	8.3 mΩ
	Gate Charge Qg @10V (nC)	4.2x10<sup>-8</sup> C
	Gehäuse	PG-TO263-3
	max. Spannung	100 V
	max. Strom	80 A
	max. Temperatur	175 °C
	min. Temperatur	-55 °C
	Montage	SMD
	Verlustleistung W (DC)	125 W