IPB090N06N3GATMA1 | Infineon Technologies

Name: Infineon Technologies N-Kanal OptiMOS3 Power Transistor, 60 V, 50 A, PG-TO263-3, IPB090N06N3GATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 88S8985
Price: 1.30 EUR
Availability: OutOfStock

Infineon Technologies N-Kanal OptiMOS3 Power Transistor, 60 V, 50 A, PG-TO263-3, IPB090N06N3GATMA1

Bestellnr.: 88S8985

EAN: 4099879035219

HTN:

IPB090N06N3GATMA1

SP000398042

Herstellerserien: IPB

IPB090N06N3GATMA1 Infineon Technologies MOSFETs

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Wichtige Spezifikationen:

Ausführung N-Kanal

max. Spannung 60 V

max. Strom 50 A

Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V 9 mΩ

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Produktbeschreibung

MOSFETs, IPB090N06N3GATMA1, Infineon Technologies

Features

N-Kanal
Ausgezeichnete Torgebühr
Sehr niedriger On-Widerstand
Lawine bewertet

Anwendungen

Synchrone Gleichrichtung
Solar-Mikro-Wechselrichter
Isolierte DC-DC-Wandler
Motorsteuerung für 12-48 V Systeme
Or-ing Schalter

Technische Daten

	Ausführung	N-Kanal
	Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V	9 mΩ
	Gate Charge Qg @10V (nC)	3.6x10<sup>-8</sup> C
	Gehäuse	PG-TO263-3
	max. Spannung	60 V
	max. Strom	50 A
	max. Temperatur	175 °C
	min. Temperatur	-55 °C
	Montage	SMD
	Verlustleistung W (DC)	71 W