IPB120N03S4L03ATMA1 | Infineon Technologies

Name: Infineon Technologies N-Kanal OptiMOST2 Power Transistor, 30 V, 120 A, PG-TO263-3, IPB120N03S4L03ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 88S9010
Price: 1.79 EUR
Availability: OutOfStock

Infineon Technologies N-Kanal OptiMOST2 Power Transistor, 30 V, 120 A, PG-TO263-3, IPB120N03S4L03ATMA1

Bestellnr.: 88S9010

EAN: 4099879035226

HTN:

IPB120N03S4L03ATMA1

SP000936514

Herstellerserien: IPB

IPB120N03S4L03ATMA1 Infineon Technologies MOSFETs

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Wichtige Spezifikationen:

Ausführung N-Kanal

max. Spannung 30 V

max. Strom 120 A

Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V 3 mΩ

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Produktbeschreibung

MOSFETs, IPB120N03S4L03ATMA1, Infineon Technologies

Features

N-Kanal
Erweiterungsmodus
Lawine bewertet

Technische Daten

	Ausführung	N-Kanal
	Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V	3 mΩ
	Gate Charge Qg @10V (nC)	5.5x10<sup>-8</sup> C
	Gehäuse	PG-TO263-3
	max. Spannung	30 V
	max. Strom	120 A
	max. Temperatur	175 °C
	min. Temperatur	-55 °C
	Montage	SMD
	Verlustleistung W (DC)	79 W