IPB80N03S4L03ATMA1 | Infineon Technologies
Infineon Technologies N-Kanal OptiMOST2 Power Transistor, 30 V, 80 A, PG-TO263-3, IPB80N03S4L03ATMA1
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MOSFETs, IPB80N03S4L03ATMA1, Infineon Technologies
Features
- N-Kanal
- Erweiterungsmodus
- MSL1 bis zu 260°C Spitzenwert beim Reflow
- Lawine bewertet
Anwendungen
- EPS-Motorsteuerung
- Drehstrom- und H-Brückenmotoren
- HVAC-Lüftersteuerung
- Elektrische Pumpen
Technische Daten
Ausführung | N-Kanal | |
Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V | 3.4 mΩ | |
Gate Charge Qg @10V (nC) | 6x10<sup>-8</sup> C | |
Gehäuse | PG-TO263-3 | |
max. Spannung | 30 V | |
max. Strom | 80 A | |
max. Temperatur | 175 °C | |
min. Temperatur | -55 °C | |
Montage | SMD | |
Verlustleistung W (DC) | 94 W |
Download
Logistik
Zolltarifnummer | 85412900 |
Originalverpackung | Rolle mit 1.000 Stück |
Compliance
RoHS konform | Ja |
Stand der RoHS-Richtlinie | 31.03.15 |
SVHC frei | Ja |